RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
14.9
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3501
2256
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link