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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
14.9
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3501
2256
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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