RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2462
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link