RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
2462
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link