RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Compara
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
34
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.5
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1457
1720
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link