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SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
34
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.5
10.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1457
1720
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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