RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
34
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
2588
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link