RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
34
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2588
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link