RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Comparez
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Note globale
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
3524
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link