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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Compara
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
46
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
11.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
46
42
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
1933
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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