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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Compara
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
46
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
11.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
46
42
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
1933
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
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