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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
11.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
46
42
读取速度,GB/s
11.6
12.0
写入速度,GB/s
8.0
7.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
1933
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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