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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Compara
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
46
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
46
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
2174
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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