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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
3049
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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