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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2290
3075
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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