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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
3576
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641162 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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