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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 43
    En 35% menor latencia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 12.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.6 left arrow 14.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 9.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1822 left arrow 2506

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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