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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
4065
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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