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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2256
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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