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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
総合得点
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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書き込み速度の高速化、GB/s
7.1
6.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
41
周辺 -71% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.7
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
24
読み出し速度、GB/s
10.1
12.7
書き込み速度、GB/秒
7.1
6.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2256
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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