RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
41
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
20
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
3410
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link