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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
41
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
20
读取速度,GB/s
10.1
19.0
写入速度,GB/s
7.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3410
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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