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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2913
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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