RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2913
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link