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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
12.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
1511
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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