SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Puntuación global
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 41
    En -32% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.5 left arrow 10.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.4 left arrow 7.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.1 left arrow 12.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 9.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1484 left arrow 2361
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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