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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
10.1
12.5
写入速度,GB/s
7.1
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2361
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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