RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
43
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2128
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link