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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
74
En -155% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2865
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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