RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
74
Около -155% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2865
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link