RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
68
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
68
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1904
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Lenovo 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link