RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
68
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
68
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1904
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link