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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
68
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
68
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
1904
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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