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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
42
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
42
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2595
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
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