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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
42
读取速度,GB/s
10.1
15.6
写入速度,GB/s
7.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2595
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
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