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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Puntuación global
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 11.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 42
    En -40% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 11.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2535 left arrow 1254

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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Memoria RAM
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Memoria RAM
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