RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Compara
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2535
4095
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link