RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
AMD R948G2806U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
AMD R948G2806U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2802
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link