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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3311
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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