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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
44
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3045
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
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