RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
44
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3045
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link