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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
44
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3098
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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