RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
44
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3527
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link