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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
44
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3310
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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