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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 5.5
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 44
    En -69% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 5.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1977 left arrow 1771

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
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