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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
12.3
11.7
写入速度,GB/s
7.8
5.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
1771
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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