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PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
14.4
写入速度,GB/s
8.4
9.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2455
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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