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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1605
2589
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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