RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
14.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1605
2589
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link