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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2186
2641
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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