SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    42 left arrow 95
    En 56% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 12.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 14900
    En 1.29 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 95
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.8 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 7.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2269 left arrow 1518
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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