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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
95
左右 56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
95
读取速度,GB/s
12.8
15.8
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1518
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB RAM的比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
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